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ICT測(cè)試原理

發(fā)布時(shí)間: 2021-12-21

ICT原理介紹:

一.隔離 ( Guarding )原理

隔離為ICT量測(cè)很重要的一種應(yīng)用技術(shù),乃是將待測(cè)零件相連接的零件給予隔離,使待測(cè)零件的量測(cè)不受影響,如下圖所示,應(yīng)用運(yùn)算放大器設(shè)計(jì)之電壓隨耦器,使輸出電壓 ( VG )與其輸入電壓 ( VA )相等,及運(yùn)算放大器之兩輸入端間虛地 ( Virtual Ground )的原理,使得與待測(cè)零件相連的零件之兩端同電位,而不會(huì)產(chǎn)生分流來(lái)影響待測(cè)零件的量測(cè),如同是已將將待測(cè)零件相連接的零件給予隔離。

經(jīng)由隔離之實(shí)施后,流經(jīng)R1的電流幾近零,不致影響R之量測(cè)。

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由于VG=VA,因此I3=0

所以R1=V/I1

 

隔離 ( Guarding )基本原理圖

 

 

定電流測(cè)量法

如下圖所示,為被使用測(cè)量大電阻的測(cè)量法,乃是應(yīng)用歐姆定律 ( Ohms Law )R = V / I,提供定電流源至待測(cè)電阻,再由其兩端所量測(cè)之電壓值,來(lái)計(jì)算待測(cè)電阻之阻值。

 

定電流/電壓測(cè)量法

如下圖所示,為常被使用之電阻的測(cè)量法,乃是應(yīng)用反相放大器 ( Inverting Amplifier )原理:Vo = -Vi * Rf / R,計(jì)算出待測(cè)電阻Rdut= -Vi * Rf / Vi。

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二.電容器的測(cè)試原理
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如上圖所示應(yīng)用運(yùn)算放大器 ( OPA )之反相放大原理:Vo = -V * R / Xc,其中Xc =1/ ( 2pfC )乃電容所產(chǎn)生的電抗,f為交流定電壓的頻率,再以角加速度『w = 2pf』來(lái)代表,則可由公式:C = -Vo / ( V * w * R ),來(lái)計(jì)算出電容之值

 定電流測(cè)量 ( MODE C )

當(dāng)電容值為10uF以上時(shí),計(jì)算機(jī)會(huì)自動(dòng)設(shè)定DC電容量測(cè)法。此法是用DC定電流來(lái)使待測(cè)電容充電,然后由充電的時(shí)間可算出電容值
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如上圖所示由于在充電電壓與其充電時(shí)間成線性關(guān)系,故可由其斜率,來(lái)計(jì)算出待測(cè)電容之值。

三.電感器的測(cè)試原理
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如上圖所示應(yīng)用運(yùn)算放大器 ( OPA )之反相放大原理:Vo = -V * R / XL,其中XL = ( 2pfL )乃電感所產(chǎn)生的電抗,f為交流定電壓的頻率,再以角加速度『w = 2pf』來(lái)代表,則可由公式:L =- V * R  / (w * V0 ),來(lái)計(jì)算出電感之值。

四.普通二極管的測(cè)試方法 (MODE D)

二極管采用如下圖所示之順向電壓測(cè)量法,來(lái)辨別二極管的好壞,正常的硅 ( Silicon )二極管之順向電壓約為0.7V,而鍺 ( Germanium )二極管之順向電壓約為0.3V。

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五.晶體管的測(cè)量原理 ( 三端點(diǎn) ) ( MODE TR )

晶體管的測(cè)量方法如下圖從晶體管的基極 ( Base )送脈波電壓,由于晶體管工作于飽和狀態(tài) ( Saturation Status )時(shí)集極與射極之間所測(cè)量的電壓 ( Vce )會(huì)小于0.2V以下,因此可藉之來(lái)辨別晶體管的好壞。

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六.短/路的測(cè)試原理 ( Open/Short Test )

學(xué)習(xí)短路表 ( Learning Short Pin Group Table )

短/開路 (  Open/Short ) 的測(cè)試數(shù)據(jù)可由學(xué)習(xí)一個(gè)良品的電路板而得。當(dāng)學(xué)習(xí)時(shí),計(jì)算機(jī)會(huì)測(cè)量任意兩個(gè)測(cè)試點(diǎn) ( Test point )之間的阻值然后產(chǎn)生一個(gè)短路表 ( Short Pin Group Table ),學(xué)習(xí)時(shí),任意兩點(diǎn)間的阻值小于20Ω(初使值)即被判定兩點(diǎn)間為短路,否則為開路。

短/開路測(cè)試

短/開路測(cè)試是根據(jù)上述短路表的資料來(lái)做測(cè)試;先做短路測(cè)試 ( Short Test )再做斷路測(cè)試 ( Open Test ),說(shuō)明如下 

路測(cè)試是測(cè)試在同一短路群 ( Short Pin Group )里的每一測(cè)試點(diǎn)間 ( Test point )是否有斷路現(xiàn)象,判別開路的基準(zhǔn)阻值是80Ω(初使值);也就是說(shuō)任意二點(diǎn)間的阻值如果大于80Ω(初使值),則被判定為開路錯(cuò)誤 ( Open Fail )。

 

短路測(cè)試是測(cè)試任意一短路群的測(cè)試點(diǎn)和其它短路群的測(cè)試點(diǎn)之間,是否有短路現(xiàn)象,判別短路的基準(zhǔn)是5Ω(初使值);也就是說(shuō)如果任意兩點(diǎn)間的阻值是小于5Ω(初使值),則被判定為短路錯(cuò)誤 ( Short Fail )


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